В США подан коллективный иск против Samsung, SK Hynix и Micron — трёх крупнейших производителей оперативной памяти. Заявители считают, что компании согласованно ограничивали выпуск традиционных модулей DRAM, чтобы увеличить прибыль за счёт более востребованной памяти HBM, используемой в системах искусственного интеллекта.
Согласно материалам дела, производители постепенно перенаправили значительную часть производственных линий с DDR3 и DDR4 на выпуск HBM. Такой шаг объясняется высокой рентабельностью новой памяти: по оценкам истцов, прибыль от производства HBM в несколько раз превышает доходность классической DRAM.
Авторы иска утверждают, что с 2022 года компании перераспределили около четверти производственных мощностей, выпускавших обычную память, в пользу HBM. По их мнению, именно это стало одной из главных причин дефицита DRAM и последующего роста цен, которые за последние четыре года увеличились примерно на 700%.
Истцы называют подобные действия согласованным ограничением предложения и считают, что именно сокращение объёмов производства при сохраняющемся спросе серьёзно нарушило баланс на рынке.
Кроме того, в судебных документах напоминают, что подобные обвинения уже звучали более двадцати лет назад. В 2005 году Samsung и SK Hynix признали участие в ценовом сговоре на рынке DRAM, связанном с событиями 1999–2002 годов, после чего выплатили многомиллионные штрафы. По мнению заявителей, этот факт может свидетельствовать о повторении аналогичной модели поведения.
Впрочем, даже если суд примет сторону истцов, быстрого снижения стоимости памяти ожидать не стоит. Аналитики Jefferies прогнозируют дальнейший рост цен: в третьем квартале 2026 года DRAM может подорожать ещё на 40–50%, затем — ещё на 30–40% до конца года. По предварительным оценкам, рост продолжится и в 2027 году, а заметная стабилизация рынка ожидается не раньше 2028 года.
